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FBR硅烷流化床法颗粒硅
ZN901A:金属杂质含量≤15ppbw
ZN901:金属杂质含量≤100ppbw
1、制造成本更低；
2、纯度可达电子级；
3、适用于CZ直拉单晶；
4、拥有自主知识产权的硅烷流化床技术。
GCL改良西门子法多晶硅
特级免洗致密
特级免洗菜花
特级免洗珊瑚料
1、自主研发冷氢化工艺，20万吨全球最大单套产能装置；
2、行业领先的还原工艺和涂层技术，大幅降低还原电耗；
3、满足高效N型单晶、一炉多根单晶对高纯多晶硅的要求。
